Η κατασκευή μνήμης flash, η οποία είναι η κυρίαρχη τεχνολογία μη πτητικής μνήμης, αντιμετωπίζει σοβαρά τεχνικά εμπόδια. Τόσο πολύ που ορισμένες αναδυόμενες τεχνολογίες έχουν προταθεί ως εναλλακτικές λύσεις στη μνήμη flash στο νανο-καθεστώς. Σχεδιασμός μη πτητικής μνήμης: Η μαγνητική αντίσταση και η αλλαγή φάσης εισάγουν τρεις πολλά υποσχόμενους υποψηφίους: μνήμη αλλαγής φάσης, μαγνητική μνήμη τυχαίας προσπέλασης και μνήμη τυχαίας προσπέλασης με αντίσταση. Το κείμενο απεικονίζει τον θεμελιώδη μηχανισμό αποθήκευσης αυτών των τεχνολογιών και εξετάζει τις διαφορές τους από τις τεχνικές μνήμης flash. Με βάση τις τελευταίες εξελίξεις, οι συγγραφείς συζητούν βασικές μεθοδολογίες σχεδιασμού καθώς και τις διάφορες λειτουργίες και δυνατότητες των τριών τεχνολογιών μη πτητικής μνήμης. . Γλώσσα: Αγγλικά